ऐवलांश भंजन

अवधाव भंजन या ऐवलांश भंजन (Avalanche breakdown) वह परिघटना है जो विद्युतरोधी पदार्थों एवं अर्धचालक पदार्थों में हो सकती है। इस परिघटना में विद्युत धारा का मान बहुत अधिक हो जाता है जो इस प्रभाव की अनुपस्थिति में बहुत कम होती है। यह एक प्रकार का इलेक्ट्रॉन अवधाव (ऐवलांश) है। अवधाव प्रक्रिया तब होती है जब संक्रमण क्षेत्र में स्थित धारा-वाहक (कैरियर्स) विद्युत क्षेत्र के द्वारा त्वरित होकर इतनी ऊर्जा ग्रहण कर लेते हैं कि वे बहुत सारे मुक्त इलेक्ट्रॉन-होल युग्म निर्मित कर देते हैं, जिससे धारा का मान अत्यधिक बढ़ जाता है। इस प्रभाव को 'ऐवलांश प्रभाव' भी कहते हैं।

ज़ेनर डायोड का धारा-वोल्टता वक्र (I-V वक्र) जिसमें ऐवलांश भंजन तथा एवंज़ेनर भंजन दिखाए गए हैं।

यह सभी देखें

• QBD (इलेक्ट्रॉनिक्स)
• एकल-फोटॉन हिमस्खलन डायोड
• स्फुलिंग अन्तराल (स्पार्क गैप)
• ज़ेनर भंजन

सन्दर्भ

• माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक सर्किट डिज़ाइन - रिचर्ड सी जेगर - 
• इलेक्ट्रॉनिक्स की कला - होरोविट्ज़ और हिल - 
• कोलोराडो विश्वविद्यालय अग्रिम MOSFET डिजाइन के लिए गाइड Archived 2006-02-08 at the वेबैक मशीन
• McKay, K. (1954). "Avalanche Breakdown in Silicon". Physical Review. 94 (4): 877. डीओआइ:10.1103/PhysRev.94.877. बिबकोड:1954PhRv...94..877M.
• पावर MOSFET हिमस्खलन विशेषताओं और रेटिंग - ST अनुप्रयोग नोट AN2344
• पावर MOSFET हिमस्खलन डिजाइन दिशानिर्देश - Vishay आवेदन नोट AN-1005