पी-एन डायोड (p–n diode) एक अर्धचालक डायोड है जो अर्धचालक के अन्दर बने पी-एन संधि ( p–n junction) पर आधारित है। इनके अनेक उपयोग हैं जिनमें प्रत्यावर्ती धारा को दिष्ट धारा में बदलना सबसे प्रमुख है। इसके अलावा ये रेडियो संकेतों को डिटेक्ट करने, प्रकाश उत्सर्जित करने (प्रकाश उत्सर्जक डायोड देखें) तथा प्रकाश का अनुसूचन (detecting light) के लिए प्रयुक्त होते हैं।

इस चित्र में पी-एन डायोड के निर्माण के लिए प्रयुक्त दो प्रकार की संरचनाएँ दिखायी गयीं हैं।

V-I वैशिष्ट्यसंपादित करें

 
एक वास्तविक पी-एन सन्धि डायोड का वोल्टता-धारा वैशिष्ट्य

पी-एन संधि डायोड का वोल्टता-धारा वैशिष्ट्य निम्नलिखित समीकरण द्वारा अभिव्यक्त किया जाता है-

 
 

जहाँ:

  • ID डायोड से होकर प्रवाहित धारा
  • VD डायोड के सिरों के बीच विभवान्तर
  • IS डायोड की व्युत्क्रम संतृप्त धारा (reverse saturation current) जिसका मान 10-10, से लेकर 10-15 के बीच होता है।
  • q इलेक्ट्रॉनिक आवेश
  • k बोल्ट्समान नियतांक है,
  • T पी और एन स्तरों के बीच स्थित संधि का परम ताप है,
  • VT = kT/q तापीय वोल्टता ; इसका मान 300 K पर 25 से 26 mV होता है।