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"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर

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'''इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन''' ('''e-beam lithography''') एक ऐसी प्रणाली है जिसमें [[इलेक्ट्रान|इलेक्ट्रानों]] के किरण पुंज को सतह पर लेपे [[रैसिस्ट|<span title="resist">रैसिस्ट</span>]] पर एक सांचे के अनुसार क्रमवीक्षित किया जाता है।<ref name="mccord">{{cite book |last= McCord |first=M. A. |coauthors=M. J. Rooks |title=[http://www.cnf.cornell.edu/cnf_spietoc.html SPIE Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication] |year=2000 |chapter=2 }}</ref>
 
इसके दृष्य [[प्रकाश|<span title="Light">प्रकाश</span>]] के [[विवर्तन सीमा|<span title=" diffraction limited system">विवर्तन सीमा</span>]] को लांघना इस प्रणाली का मुख्य लाभ है। इस कारण [[नैनो-|नैनोनैनोमीटर]]मीटर स्तर पर इसका प्रयोग होता है। [[प्रकाशिक अश्मलेखन]] में उपयोग होने वाले [[फोटोमास्क]], कम मात्रा में बनाये जानेवाले [[अर्धचालक युक्ति|अर्धचालक युक्तिओं]], और अनुसंधान और विकास में इसका प्रयोग होता है।
This form of lithography has found wide usage in [[photomask|mask]]-making used in [[photolithography]], low-volume production of semiconductor components, and research & development.
 
== Electron Beam Lithography Systems ==
"https://hi.wikipedia.org/wiki/इलेक्ट्रॉन_किरण_अश्मलेखन" से प्राप्त