"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर

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वाणिज्यिक रूप में प्रयोग होने वाले इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन तंत्र काफी महंगे होते हैं (रु. १६ करोड से ज्यादा)। अधिकांश अनुसंधान प्रयोगों के लिये [[इलैक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी|<span title="Electron Microscopy">इलैक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी</span>]] को बदल कर इस कार्य के लिये उपयोगित किया जाता है (करीब रु. ४० लाख)। ऐसे तंत्र १० नैनोमीटर या उससे कम तक की रेखाएं बना पाती हैं।
 
इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन तंत्र को उनके किरण पुंज के आकार और पुंज के विक्षेपण या मोड़ने की शैली के अनुसार वर्गीकृत किया जाता है। पुराने तंत्रों में [[रेखापुंज|<span title="raster">रेखापुंज</span>]] प्रणाली का प्रयोग होता था, पर अब [[सदिश|<span title="vector">सदिश</span>]] पद्वति को अपनाया जा रहा है।
 
Electron beam lithography systems can be classified according to both beam shape and beam deflection strategy. Older systems used Gaussian-shaped beams and scanned these beams in a raster fashion. Newer systems use shaped beams, which may be deflected to various positions in the writing field (this is also known as '''vector scan''').
 
===Electron sources===