"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर
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[[स्थिरविद्युत|<span title="electrostatics">स्थिरविद्युत</span>]] और [[चुम्बक|<span title="Magnet">चुम्बकीय</span>]] [[लेंस|लेंसों]], दोनो का ही प्रयोग होता है। परंतु स्थिरविद्युत लेंसों में त्रुटी अधिक होती है, इसलिये इनका प्रयोग सूक्ष्म फोकस/केंद्रकरण के लिये नही होता।
===वेदिका को चलाना===
सामान्यतः, निम्न विक्षेपण के लिये स्थिरविद्युत लैन्सों का प्रयोग होता है, और बड़े विक्षेपण के लिये [[विद्युत चुम्बकीय|<span title="electromagnetic">विद्युत चुम्बकीय</span>]] लैन्सों का प्रयोग होता है। त्रुटियों <!-- और because of the finite number of steps in the exposure grid --> के कारण छापे मारने की सूक्ष्मता १०० से १ [[मैक्रो-|मैक्रॉन]] तक ही होती है। इसलिये बडे ढांचों की बनावट में वेदिका को चलाया जाता है। छोटे-छोटे वर्गों में ढांचा बनाकर उन्हे जोड दिया जाता है। इस प्रणाली में अत्यन्त ही सूक्ष्म नियन्त्रण की जरूरत पडती है।
===Electron beam write time===
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