"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर
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===वेदिका को चलाना===
[[Image:Masqueur electronique.GIF|right|thumb|200px|वेदिका का प्रयोग<ref name="masqueur">O.Cahen,J.Trotel, ''High Performance Step and Repeat Machine Using an Electron Beam and Laser Interferometers, 4th Intern. Conf. on El & Ion Beam Sci & Technol, Los Angeles, 1970</ref>]]
सामान्यतः, निम्न विक्षेपण के लिये स्थिरविद्युत लैन्सों का प्रयोग होता है, और बड़े विक्षेपण के लिये [[विद्युत चुम्बकीय|<span title="electromagnetic">विद्युत चुम्बकीय</span>]] लैन्सों का प्रयोग होता है। त्रुटियों <!-- और because of the finite number of steps in the exposure grid --> के कारण छापे मारने की सूक्ष्मता १०० से १ [[मैक्रो-|मैक्रॉन]] तक ही होती है। इसलिये बडे ढांचों की बनावट में वेदिका को चलाया जाता है। छोटे-छोटे वर्गों में ढांचा बनाकर उन्हे जोड दिया जाता है। इस प्रणाली में अत्यन्त ही सूक्ष्म नियन्त्रण की जरूरत पडती है।
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