"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर

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सामान्यतः, निम्न विक्षेपण के लिये स्थिरविद्युत लैन्सों का प्रयोग होता है, और बड़े विक्षेपण के लिये [[विद्युत चुम्बकीय|<span title="electromagnetic">विद्युत चुम्बकीय</span>]] लैन्सों का प्रयोग होता है। त्रुटियों <!-- और because of the finite number of steps in the exposure grid --> के कारण छापे मारने की सूक्ष्मता १०० से १ [[मैक्रो-|मैक्रॉन]] तक ही होती है। इसलिये बडे ढांचों की बनावट में वेदिका को चलाया जाता है। छोटे-छोटे वर्गों में ढांचा बनाकर उन्हे जोड दिया जाता है। इस प्रणाली में अत्यन्त ही सूक्ष्म नियन्त्रण की जरूरत पडती है।
 
===इलेक्ट्रॉन किरण लेखन समय===
===Electron beam write time===
इलेक्ट्रॉन किरण लेखन की दृष्टि से वाणिज्यिक उत्पादन के लिये बहुत धीमा पडता है। उदाहरण के लिये, 700 cm<sup>2</sup> के [[सिलिकॉन]] वेफर के अभिमुखीकरण के लिये 7000 सैकंड तक लग जाता है। इसका मुख्य कारण है इस प्रणाली का क्रमिक होना। [[प्रकाशिक अश्मलेखन (फोटोलिथोग्राफी)|फोटोलिथोग्राफी]] इसकी तुलना में कैइ गुना तेज होता है, क्योंकि यह सारे सतह पर समांतर कार्य करता है।
 
The minimum time to expose a given area for a given dose is given by the following formula:
 
Dose * exposed area = beam current * exposure time = total number of incident electrons
 
For example, assuming an exposure area of 1 cm<sup>2</sup>, a dose of 10<sup>-5</sup> Coulombs/cm<sup>2</sup>, and a beam current of 10<sup>-6</sup> Amperes, the resulting minimum write time would be 10 seconds. This minimum write time does not include time for the stage to move back and forth, as well as time for the beam to be blanked (blocked from the wafer during deflection), as well as time for other possible beam corrections and adjustments in the middle of writing. To cover the 700 cm<sup>2</sup> surface area of a 300 mm silicon wafer, the minimum write time would extend to 7000 seconds, almost 2 hours. It is clear that throughput is a serious limitation for electron beam lithography, especially when writing dense patterns over a large area.
 
E-beam lithography is not suitable for high-volume manufacturing because of its limited throughput. The serial nature of electron beam writing makes for very slow pattern generation compared with a [[parallel]] technique like photolithography (the current standard) in which the entire surface is patterned at once (1X optical steppers only, 4 or 5X steppers take proportionally longer). As an example, to pattern a single wafer it would typically take an electron beam system (w/a fixed gaussian beam) approximately ten hours (shaped beam vector scan e-beam systems (Aeble 150) can pattern 4" wafers in less than 1 hour); compared to the few minutes it would take with a (1X)photolithography system.
 
===Defects in electron-beam lithography===