"इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन": अवतरणों में अंतर

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===इलेक्ट्रॉन किरण लेखन समय===
इलेक्ट्रॉन किरण लेखन की दृष्टि से वाणिज्यिक उत्पादन के लिये बहुत धीमा पडता है। उदाहरण के लिये, 700 cm<sup>2</sup> के [[सिलिकॉन]] वेफर के अभिमुखीकरण के लिये 7000 सैकंड तक लग जाता है। इसका मुख्य कारण है इस प्रणाली का क्रमिक होना। [[प्रकाशिक अश्मलेखन (फोटोलिथोग्राफी)|फोटोलिथोग्राफी<span title="Photolithography">प्रकाशिक अश्मलेखन</span>]] इसकी तुलना में कैइ गुना तेज होता है, क्योंकि यह सारे सतह पर समांतर कार्य करता है।
 
===Defects in electron-beam lithography===