"अर्धचालक पदार्थ": अवतरणों में अंतर

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ताप बढ़ाने पर अर्धचालकों की विद्युत चालकता बढ़ती है, यह गुण चालकों के उल्टा है। अर्धचालकों में बहुत से अन्य उपयोगी गुण भी देखने को मिलते हैं, जैसे किसी एक दिशा में दूसरे दिशा की अपेक्षा आसानी से धारा प्रवाह (अर्थात् भिन्न-भिन्न दिशाओं में विद्युतचालकता का भिन्न-भिन्न होना)। इसके अलावा नियंत्रित मात्रा में अशुद्धियाँ डालकर (एक करोड़ में एक भाग या इससे मिलता-जुलता) अर्धचालकों की चालकता को कम या अधिक बनाया जा सकता है। इन अशुद्धियों को मिलाने की प्रक्रिया को 'डोपन' (doping) कहते हैं। डोपिंग करके ही एलेक्ट्रानिक युक्तियों (डायोड, ट्रांजिस्टर, [[आईसी]] आदि) का निर्माण किया जाता है। इनकी चालकता को बाहर से लगाए गए विद्युत क्षेत्र या प्रकाश के द्वारा भी परिवर्तित किया जा सकता है। यहाँ तक कि इनकी विद्युत चालकता को तानकर (tensile force) या दबाकर भी बदला जा सकता है।
 
अपने इन्हीं गुणों के कारण ये अर्धचालक प्रकाश एवं अन्य [[विद्युत संकेत|विद्युत संकेतों]] को आवर्धित (एम्प्लिफाई) करने वाली युक्तियाँ बनाने, विद्युत संकेतों से नियंत्रित स्विच (जैसे [[बीजेटी]], [[मॉसफेट]], [[एससीआर]] आदि) बनाने, तथा ऊर्जा परिवर्तक (देखें, [[शक्ति एलेक्ट्रानिकी]]) के रूप में काम करते हैं। अर्धचालकों के गुणों को समझने के लिए [[क्वाण्टम भौतिकी]] का सहारा लिया जाता है।
 
== कुछ अर्धचालकों का परिचय ==
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अन्य पदार्थ जिनका प्रयोग या तो कम व्यापक है, या उन पर अनुसंधान हो रहा है:
* [[सिलिकॉन कार्बाइड]] (SiC) का प्रयोग नीले [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] (एल-ई-डी, LED) के लिये हो रहा है। प्रतिकूल वातावरण, जैसे उच्च तापमान या अत्याधिक [[आयनित विकिरण|<span title="ionizing radiation">आयनित विकिरण</span>]], के होने पर इसके उपयोग पर अनुसंधान हो रहा है। सिलिकॉन कार्बाइड से [[इंपैट डायोड|<span title="IMPATT Diode">इंपैट डायोड</span>]] (IMPATT) को भी बनाया गया है।
* [[इण्डियम|इंडियम]] के समास, जैसे इंडियम आर्सेनाइड, इंडियम [[एन्टिमोनी|एन्टिमोनाइड]] और इंडियम [[फॉस्फोरस|फॉस्फाइड]], का भी प्रयोग एल-ई-डी और ठोस अवस्था [[लेसर डायोड]] मे हो रहा है।
{{अनुवाद}}* [[सौर फोटो वोल्टायिक]] सेल के निर्माण के लिये [[सेलेनियम]] [[सल्फाइड]] पर अनुसंधान हो रहा है।