"जेनर डायोड": अवतरणों में अंतर
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एक पारंपरिक ठोस-अवस्था वाला [[डायोड]] पर्याप्त बिजली की अनुमति नहीं देगा यदि वह रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज से नीचे [[रिवर्स बायस्ड|रिवर्स-बायस्ड]] है। जब रिवर्स-बायस्ड ब्रेकडाउन वोल्टेज बढ़ जाता है, तो [[ऐवलांश ब्रेकडाउन]] के कारण एक पारंपरिक डायोड उच्च बिजली के अधीन हो जाता है। यदि यह विद्युत प्रवाह बाह्य परिपथाकार द्वारा सीमित नहीं किया जाता, तो यह डायोड स्थायी रूप से क्षतिग्रस्त हो जाता है। भारी मात्रा में फोरवर्ड बायस्ड की अवस्था में (तीर की दिशा में विद्युत), डायोड अपने जंक्शन अन्तस्थ वोल्टेज और आंतरिक प्रतिरोध के कारण वोल्टेज में गिरावट प्रदर्शित करता है। वोल्टेज की गिरावट की राशि, अर्धचालक पदार्थ और डोपिंग सांद्रता पर निर्भर करती है।
एक '''जेनर डायोड''' लगभग यही गुण प्रदर्शित करता है, सिवाय इसके कि इस उपकरण को न्यूनीकृत भंग वोल्टेज के लिए डिज़ाइन किया गया है, तथाकथित '''जेनर वोल्टेज''' . एक जेनर डायोड में भारी मात्रा में [[डोपिंग (अर्धचालक)|डोप्ड]] [[P.N. जंक्शन|p-n जंक्शन]] सम्मिलित हैं जो [[इलेक्ट्रॉन|इलेक्ट्रन]] को p-वर्ग पदार्थ के संयोजन बैंड से n-वर्ग पदार्थ के चालन बैंड तक [[क्वांटम टनेलिंग|टनल]] बनाने की अनुमति देते हैं। परमाणु पैमाने में, यह टनेलिंग, संयोजन बैंड इलेक्ट्रॉन के खाली चालन बैंड स्थिति में अंतरण से मेल रखता है; इसका कारण है, इन बैंडों के बीच घटित बाधा और उच्च बिजली क्षेत्र जो दोनों तरफ के अपेक्षाकृत उच्च स्तर की डोपिंग से प्रेरित होता है। एक रिवर्स-बायस्ड जेनर डायोड एक नियंत्रित भंग का प्रदर्शन करता है और बिजली को अनुमति देता है कि वह जेनर डायोड में वोल्टेज को जेनर वोल्टेज पर रखे । उदाहरण के लिए, यदि जेनर वोल्टेज से अधिक रिवर्स-बायस्ड वोल्टेज प्रयोग किया जाता है तो एक डायोड जिसका जेनर निपात वोल्टेज 3.2V है, 3.2 V वोल्टेज ड्रॉप का प्रदर्शन करेगा। हालांकि, बिजली असीमित नहीं है, इसलिए जेनर डायोड को आमतौर पर एक [[एम्पलीफायर|प्रवर्धक]] चरण के लिए एक संदर्भ वोल्टेज उत्पन्न करने या कम-बिजली अनुप्रयोगों के लिए एक वोल्टेज स्टेबलाइज़र के रूप में प्रयोग किया जाता है।
डोपिंग प्रक्रिया के द्वारा निपात वोल्टेज को पर्याप्त रूप में नियंत्रित किया जा सकता हैं। जबकि क्षमता 0.05% के भीतर उपलब्ध है, सबसे अधिक व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली क्षमता 5% और 10% है।
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